Главная → Каталог закупок → Гетероэпитаксиальная структура для варикапных диодов на GaAs подложке
Гетероэпитаксиальная структура для варикапных диодов на GaAs подложке
Приём завершён
1 026 800,00 RUB
Окончание подачи: 12.10.2026 12:00 Мск.
Информация о закупке
Информация о позициях
Документы закупки
Документация извещения
Условия контракта
Места поставки
обл. Московская 142432, Московская область, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2, ИФТТ РАН
Срок поставки 2026-12-31+03:00
Контактная информация
Наименование заказчика ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА ИМЕНИ Ю.А. ОСИПЬЯНА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
ИНН / КПП 5031003120 / 503101001
Адрес 142432, Московская обл, г Черноголовка, Московская обл, г Черноголовка, ул Академика Осипьяна, дом 2
Контакты
Контактное лицо, телефон и почта заказчика доступны после
бесплатной регистрации .